منتديات إبداع للأبد

أعزائي زائري موقع ومنتدى إبداع للأبد بادر بالتسجيل الآن وشارك معنا ...
إنضم لأسرتنا الآن ...
مع تحيات إدارة موقع ومنتدى إبداع للأبد

أشرقت شمس الإبداع بعودتك يــــــــــا زائر إلى موقع ومنتدى إبــــــداع للأبــــــــد

 
 
 
    رسالتنا : التغلب على ملهيات الحياة وجعل بيئة الإبداع أساس لكل أعمالنا وبذلك نيل الثواب من الله عز وجل ,  رؤيتنا : تقديم بيئة إبداعية على الشبكة العنكبوتية متمثلتاً بموقع ومنتدى إبداع للأبد وجعله أساس رسالتنا

    اساسيات الالكترونيات ((القسم الثالث))

    شاطر

    the king

    مشرف قسم منصات الألعاب


    مشرف قسم منصات الألعاب

    ( تاريخ التسجيل ) : 07/02/2008
    ( مجال ابداعي ) : منصات الألعاب
    ( مشاركاتي ) : 79
    ( سمعتـي ) : 14
    ( نقاطـــي ) : 133
    ( العمــــر ) : 24
    ( المــزاج ) : ممتاز
    ( الهوايـة ) : الرياضة
    ( العمـل ) : طالب
    ( البـــلد ) : المملكة العربية السعودية
    ذكر
    100% احترام القوانين ممتاز
    رسالة موقع ومنتدى إبداع للأبد

    اساسيات الالكترونيات ((القسم الثالث))

    مُساهمة من طرف the king في الإثنين 11 فبراير 2008 - 1:28

    القسم الثالث

    Arrow Arrow Arrow



    فكرة عمل الـMOSFET :

    فى هذا النوع من الترانزستورات يتم التحكم بتيار الخرج عن طريق جهد (المجال الكهربى) الدخل .. فكيف ذلك ؟
    أنظر الشكل التالى (حيث تم توصيل المصرف بالطرف الموجب لبطارية والمنبع بالطرف السالب لها)
    1- فى حالة عدم وضع جهد على البوابة Gate فإنه لن يمر أى تيار بين المنبع والمصرف (الشكل الأيسر)
    2- فى حالة وضع جهد موجب على البوابة (فى الشكل الأيمن) - لاحظ أن الترانزستور من نوع القناة N - فإن الإلكترونات الحرة الموجودة فى بلورتى المنبع والمصرف ستنجذب للمجال الكهربى الموجب المتكون عند البوابة مكونة قناة لمرور التيار بين المنبع والمصرف.
    ويتغير حجم هذه القناة تبعا لقوة المجال الكهربى عند البوابة وبالتالى تتغير قيمة التيار المار بين المنبع والمصرف.



    3- ى حالة وضع جهد سالب على البوابة (فى الشكل الأيمن) - لاحظ أن الترانزستور من نوع القناة P- فإن الفجوات الموجودة فى بلورتى المنبع والمصرف ستنجذب للمجال الكهربى السالب المتكون عند البوابة مكونة قناة لمرور التيار بين المنبع والمصرف.
    ويتغير حجم هذه القناة تبعا لقوة المجال الكهربى عند البوابة وبالتالى تتغير قيمة التيار المار بين المنبع والمصرف.



    لاحظ أنه لوجود مادة الأوكسيد (العازلة) بين البوابة وبقية الترانزستور فإن التيار لا يمر بينهما . وفقط يتم التحكم بالتيار المار بين المنبع والمصرف عن طريق الجهد (المجال الكهربى) الموجود على البوابة.

    الـMOSFET المتمم (CMOS) :

    مصطلح الCMOS هو أختصار للجملة Complementary Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
    وهو عبارة عن دارة تجمع بين ترانزستورين من نوعى N-Channel ,P-Channel
    ويكون عمله كالآتى :
    1- عندما يكون مستوى الدخل منخفضا على البوابة (LOW) يعمل الترانزستور P-MOS FET (أى الترانزستور ذو القناة P) على تمرير التيار من مصدره لمصرفه . ولا يعمل الترانزستور الآخر.
    2- عندما يكون مستوى الدخل مرتفعاعلى البوابة (High) يعمل الترانزستور N-MOS FET (أى الترانزستور ذو القناة N) من مصرفه لمصدره . ولا يعمل الترانزستور الآخر.

    أى أنه فى دارة الCMOS يعمل الN-MOS و الPMOS بصورة عكسية (أحدهما يمرر والآخر لا).
    ويستفاد من هذه الحالة عند التعامل مع تيارت عالية (قدرات عالية) فيخفف ذلك من تسخين كلا من الترانزستورين حيث يعمل كلا منهما نصف الوقت بينما يريح الأخر مع الحفاظ على حالات الخرج وذلك بإدخال نبضة ساعة على البوابة .



    خاتمة :

    تعتبر الترانزستورات من نوع MOSFET خليفة الترانزستورات BJT حيث تدخل فى معظم الدارات الحديثة وخصوصا فى بناء الدارات المتكاملة والدارات الرقمية خاصة لما تتميز به من سرعة فى الأداء خصوصا عند إستخدامها كمفاتيح.

    ملحوظه :-
    الترانزستورات موسفت و خصوصاً القناة n كثيرة الاستخدام في دارات التغذية العاملة في نمط التقطيع سواء كانت بشكل فردي أي بشكل ترانزستور مستقل أو كترانزستور مبني ضمن دارة متكاملة مثل عائلة ال STR
    في التلفزيونات و المونيتورات و غيرها من وحدات التغذية ...





      الوقت/التاريخ الآن هو الخميس 23 فبراير 2017 - 15:51